真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜機(jī)表面形貌分析
是采用磁控濺射，多弧離子鍍和APSCD混合鍍膜原子力顯微鏡的表面形貌圖。圖中可以明顯看出：由于磁控濺射產(chǎn)生的顆粒直徑本身較多弧離子鍍小，所以表面更為平整，致密。而采用混合鍍法，因?yàn)榇趴貫R射產(chǎn)生的小顆粒和多弧離子鍍產(chǎn)生的大顆粒進(jìn)行了混凝土式的混合，填補(bǔ)了大顆粒之間的空隙，得到的膜層較單獨(dú)多弧離子鍍更加平整致密。
三種工藝的表面形貌
膜厚的分析
實(shí)驗(yàn)中采用臺(tái)階儀對(duì)薄膜的厚度進(jìn)行了測(cè)量，測(cè)量結(jié)果如下表3 所示。
表3 不同樣品的薄膜厚度
在相同的時(shí)間內(nèi)，磁控濺射僅為658 nm，APSCD 混合鍍膜層厚度達(dá)到1345 nm，沉積速率提高了1 倍。磁控濺射采用了中頻雙靶結(jié)構(gòu)，這已經(jīng)較大的提高了磁控濺射沉積速率。在實(shí)際生產(chǎn)中，采用混合鍍方式的膜層厚度更容易達(dá)到微米級(jí)，更適合用來(lái)進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)。
耐腐蝕性能的分析
實(shí)驗(yàn)測(cè)定了腐蝕電位及腐蝕電流密度，采用電化學(xué)極化曲線(xiàn)對(duì)薄膜的耐腐蝕性能進(jìn)行了評(píng)估。1#、2#、3# 試樣和4#(基體)的極化曲線(xiàn)如圖9 所示?；w的腐蝕電位是- 855 mV，1#、2#、3#號(hào)試樣的腐蝕電位分別是- 776 mV、- 783 mV、- 751 mV。其中APSCD 混合鍍膜試樣腐蝕電位比基體的腐蝕電位提高了104 mV，耐腐蝕性能最好。
結(jié)論
通過(guò)1 年的實(shí)驗(yàn)，設(shè)計(jì)的新型輝光弧光協(xié)同共放電鍍膜機(jī)能夠滿(mǎn)足快速鍍制耐磨耐蝕膜層的工業(yè)要求，靶材利用率高，系統(tǒng)協(xié)同放電穩(wěn)定，該機(jī)能同時(shí)滿(mǎn)足多弧和磁控鍍膜的要求，提高了設(shè)備與薄膜制備的檔次，并使所能鍍制的薄膜范圍大大增加。
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